Tranzistoarele cu efect-de câmp (FET) sunt clasificate în general în două categorii: tranzistori cu efect-de câmp de joncțiune (JFET) și tranzistori cu efect-poartă-izolați (tranzistori MOS).
Pe baza materialului canalului și a tipului de poartă-izolată, acestea sunt împărțite în continuare în tipuri de canal N-canal P-. Pe baza modului de conducere, acestea sunt clasificate în modul-de epuizare și modul-de îmbunătățire. JFET-urile sunt toate în mod-de epuizare, în timp ce tranzistoarele MOS pot fi fie în modul-de epuizare, fie în{9}}modul de îmbunătățire.
FET-urile pot fi clasificate în tranzistori cu efect-de câmp de joncțiune (JFET) și tranzistori cu efect-de câmp MOS (tranzistori MOS). Tranzistoarele MOS sunt împărțite în patru categorii principale: modul N-de epuizare a canalului-și modul P-de epuizare a canalului-.
Tranzistori cu efect-de câmp de joncțiune (JFET)
1. Clasificarea tranzistoarelor cu efect-de câmp de joncțiune: JFET-urile au două forme structurale: JFET-uri cu canal N- și JFET-uri cu canal P-.
JFET-urile au, de asemenea, trei electrozi: poartă, dren și sursă.
Direcția săgeții porții din simbolul circuitului poate fi interpretată ca direcția de conducere înainte a celor două joncțiuni PN.
2. Principiul de funcționare al unui tranzistor cu efect de câmp-joncțiune (JFET) (luând ca exemplu un JFET cu N-canale): Structura și simbolul unui JFET cu N-canal. Deoarece purtătorii din joncțiunea PN sunt epuizați, joncțiunea PN este în esență ne-conductivă, formând așa-numita-regiune de epuizare. Când tensiunea de scurgere ED este constantă, cu cât tensiunea de poartă este mai negativă, cu atât regiunea de epuizare formată la interfața de joncțiune PN este mai groasă, rezultând un canal mai îngust între dren și sursă și un ID de curent de scurgere mai mic. În schimb, dacă tensiunea de poartă este mai puțin negativă, canalul se lărgește, iar ID crește. Prin urmare, tensiunea de poartă EG poate controla modificarea curentului de scurgere ID; adică JFET este un element controlat{10}}tensiune.
Tranzistor cu efect-Gate Field- izolat (MOSFET)
1. Clasificarea tranzistoarelor cu efect de-poartă-izolată (MOSFET): tranzistoarele cu efect de-poartă-izolată au, de asemenea, două forme structurale: canal N-și canal P-. Indiferent de canal, acestea sunt împărțite în continuare în moduri de îmbunătățire-și de epuizare-moduri.
2. Este compus din metal, oxid și semiconductor, de aceea este numit și tranzistor cu efect de câmp-oxid-semiconductor-metalic sau pur și simplu MOSFET.
3. Principiul de funcționare al tranzistorilor cu efect de câmp de poartă izolat-(folosind MOSFET-uri în modul N-de îmbunătățire a canalului- ca exemplu): utilizează tensiunea de poartă (UGS) pentru a controla cantitatea de sarcină indusă, modificând astfel starea canalului conductiv format de aceste sarcini induse și, în cele din urmă, controlul curentului drenaj. În timpul fabricării tranzistorului, un număr mare de ioni pozitivi sunt introduși în stratul izolator, inducând o cantitate semnificativă de sarcină negativă pe cealaltă parte a interfeței. Aceste sarcini negative conectează regiunea N-înalt dopată, formând un canal conductiv, rezultând un ID mare de scurgere a curentului chiar și atunci când VGS=0. Când tensiunea de poartă se modifică, cantitatea de sarcină indusă din canal se modifică și ea, iar lățimea canalului conductiv se modifică în consecință. Prin urmare, ID-ul curentului de scurgere se modifică odată cu tensiunea de poartă.
Există două moduri de funcționare pentru MOSFET-uri: cele cu un curent de scurgere mare când tensiunea de poartă este zero se numesc mod de epuizare-; cele cu curent de drenaj zero atunci când tensiunea de poartă este zero, necesitând o anumită tensiune de poartă pentru a genera curent de drenaj, se numesc modul de îmbunătățire-.
